对比图
型号 IPD15N06S2L64ATMA1 IPD15N06S2L64ATMA2
描述 DPAK N-CH 55V 19A晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 55 V, 0.047 ohm, 10 V, 1.6 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 47W (Tc) 47 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 19A 19A
输入电容(Ciss) 354pF @25V(Vds) 354pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 47W (Tc) 47W (Tc)
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.047 Ω
阈值电压 - 1.6 V
输入电容 - 354 pF
上升时间 - 14 ns
下降时间 - 12 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.5 mm
宽度 - 6.22 mm
高度 - 2.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free