BC849CW,115和BAS70-04W,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC849CW,115 BAS70-04W,115 BC848CW-7-F

描述 Nexperia BC849CW,115 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:420, 100 MHz, 3引脚 UMT封装肖特基势垒二极管,高达 120mA,Nexperia高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3Pin SOT-323 T/R

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) Nexperia (安世) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323

针脚数 3 3 -

正向电压 - 1V @15mA -

正向电流 - 70 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 100 mA -

正向电压(Max) - 1V @15mA -

正向电流(Max) - 70 mA -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

工作结温 - 150℃ (Max) -

极性 - - NPN

耗散功率 200 mW - 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V - 30 V

集电极最大允许电流 - - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V - 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW - 200 mW

耗散功率(Max) 200 mW - 200 mW

频率 100 MHz - -

额定功率 0.2 W - -

增益频宽积 100 MHz - -

最大电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V - -

直流电流增益(hFE) 420 - -

长度 2.2 mm 2.2 mm -

宽度 1.35 mm 1.35 mm -

高度 1 mm 1 mm -

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

ECCN代码 - - EAR99

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