J106和J107

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J106 J107 2N5457G

描述 N沟道 JFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J107  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 100 mA, 100 mA, 4.5 V, TO-92, JFETJFET的 - 通用型N沟道 - 耗尽 JFETs − General Purpose N−Channel − Depletion

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 25.0 V

额定电流 200 mA 100 mA 10.0 mA

额定功率 625 mW - -

漏源极电阻 6 Ω 8 Ω 2.00 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 625 mW 625 mW 310 mW

漏源极电压(Vds) 25.0 V 25.0 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 200 mA 100 mA -

击穿电压 25 V 25 V 25 V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 310 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 135 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 625 mW - 310 mW

击穿电压 - -25.0 V -

栅源击穿电压 - 25.0 V 25.0 V

输入电容(Ciss) - - 7pF @15V(Vds)

高度 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 135℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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