对比图
描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorN 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 263 MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 14.5 A - -
漏源极电阻 200 mΩ 0.15 Ω 180 mΩ
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 95 W 150 W 125 W
阈值电压 3 V 4 V -
输入电容 1.12 nF - -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -
连续漏极电流(Ids) 14.5 A 18A -
上升时间 50 ns 19 ns 27 ns
输入电容(Ciss) 1120pF @25V(Vds) 1160pF @25V(Vds) -
下降时间 60 ns 5.5 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 65 ℃
耗散功率(Max) 95W (Tc) 150W (Tc) -
额定功率 - 150 W -
针脚数 - 3 -
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 200 V
封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.67 mm 10.4 mm
宽度 - 9.65 mm 9.35 mm
高度 - 4.83 mm 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
材质 - Silicon -
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -