对比图
型号 FDS8870 IRF8788PBF IRF7832TRPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8870 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.2 mohm, 10 V, 2.5 VINFINEON IRF8788PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.8 VINFINEON IRF7832TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2.32 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 18.0 A - -
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0042 Ω 0.0023 Ω 0.0031 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 2.5 V 1.8 V 2.32 V
输入电容 4.62 nF - 4310 pF
栅电荷 85.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 24A 20A
上升时间 48 ns 24 ns 6.7 ns
输入电容(Ciss) 4615pF @15V(Vds) 5720pF @15V(Vds) 4310pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - 2.5 W
下降时间 21 ns 11 ns 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 155 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定功率 - 2.5 W 2.5 W
通道数 - 1 -
正向电压(Max) - - 1 V
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 155℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -