对比图
型号 IPI075N15N3G IPI075N15N3GXKSA1 IPB072N15N3G
描述 OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole -
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-262-3 D2PAK-2
额定功率 - 300 W -
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 300 W 300 W 300 W
漏源极电压(Vds) - 150 V -
漏源击穿电压 - 150 V -
连续漏极电流(Ids) - 100A -
上升时间 - 35 ns -
输入电容(Ciss) - 5470pF @75V(Vds) -
下降时间 - 14 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 300W (Tc) -
长度 - 10.2 mm -
宽度 - 4.5 mm -
高度 - 9.45 mm -
封装 TO-262-3 TO-262-3 D2PAK-2
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC