对比图
型号 FDN342P RTR020P02TL AO3401A
描述 PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。ROHM RTR020P02TL 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -20 V, 135 mohm, -4.5 V, 2 V-30V,-4A,P沟道MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 TSMT-3 SOT-23-3
额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -
额定电流 -2.00 A -2.00 A -
漏源极电阻 0.062 Ω 135 mΩ -
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 500 mW 1 W 1.4 W
阈值电压 1.05 V 2 V -
输入电容 635 pF - -
栅电荷 6.30 nC - -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 30 V
栅源击穿电压 ±12.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 2.00 A 2.00 A 4A
上升时间 8 ns 13 ns 3.5 ns
输入电容(Ciss) 635pF @10V(Vds) 430pF @10V(Vds) 1200pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 460 mW 1 W 1.4 W
下降时间 19 ns 12 ns 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500mW (Ta) 1W (Ta) 1.4W (Ta)
额定功率 - - 1.4 W
针脚数 - 3 -
长度 2.92 mm - -
宽度 1.4 mm - -
高度 0.94 mm - -
封装 SOT-23-3 TSMT-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Not For New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 - -
香港进出口证 NLR - NLR