IXFK52N30Q和STY60NK30Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK52N30Q STY60NK30Z IXFK73N30

描述 TO-264AA N-CH 300V 52AN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsTO-264AA N-CH 300V 73A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-264-3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 360 W 450 W 500 W

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

连续漏极电流(Ids) 52A 60.0 A 73.0 A

上升时间 60 ns 90 ns 80 ns

输入电容(Ciss) 5300pF @25V(Vds) 7200pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)

下降时间 25 ns 60 ns 50 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360W (Tc) 450W (Tc) 500W (Tc)

额定电压(DC) - 300 V 300 V

额定电流 - 60.0 A 73.0 A

漏源极电阻 - 0.033 Ω 0.045 Ω

阈值电压 - 3.75 V 4 V

针脚数 - 3 -

漏源击穿电压 - 300 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

额定功率(Max) - 450 W -

长度 19.96 mm 15.9 mm -

宽度 5.13 mm 5.3 mm -

高度 26.16 mm 20.3 mm -

封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-264-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Last Time Buy Active Not Recommended

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

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