对比图
描述 N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorN 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 4 4
封装 DIP DIP
额定电压(DC) 100 V 100 V
额定电流 1.00 A 1.30 A
额定功率 1.3 W 1.3 W
针脚数 4 4
漏源极电阻 0.54 Ω 0.27 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 1.3 W 1.3 W
阈值电压 2 V 2 V
输入电容 250pF @25V 490pF @25V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 1.00 A 1.30 A
上升时间 47 ns 64.0 ns
输入电容(Ciss) 250pF @25V(Vds) 490pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.3 W 1.3 W
下降时间 17 ns -
长度 5 mm 5 mm
宽度 6.29 mm 6.29 mm
高度 3.37 mm 3.37 mm
封装 DIP DIP
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
ECCN代码 - EAR99