对比图
型号 IRFP460BPBF IRFP460PBF STW19NM50N
描述 D系列功率MOSFET D Series Power MOSFETN 通道 MOSFET，500V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorN 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
通道数 1 - 1
漏源极电阻 0.2 Ω 0.27 Ω 0.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 278 W 280 W 110 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 20A 20.0 A 14A
上升时间 - 59 ns 16 ns
输入电容(Ciss) 3094pF @10V(Vds) 4200pF @25V(Vds) 1000pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - 280 W 110 W
下降时间 - 58 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) 278W (Tc) 280 W 110W (Tc)
针脚数 3 3 -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
额定电压(DC) - 500 V -
额定电流 - 20.0 A -
额定功率 - 280 W -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 15.87 mm 15.87 mm 15.75 mm
宽度 5.31 mm 5.31 mm 5.15 mm
高度 20.82 mm 20.7 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 - Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
最小包装 500 500 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
香港进出口证 - NLR -