对比图
型号 IPP08CN10NG SPP80N06S-08 STP60N3LH5
描述 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-TransistorSIPMOS㈢功率三极管 SIPMOS㈢ Power-TransistorN沟道30 V ， 0.0072 Ω ， 48采用DPAK ， IPAK ， TO- 220的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO-220 STripFET™ V Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 55.0 V -
额定电流 95.0 A 80.0 A -
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 6.5 mΩ 7.2 mΩ
极性 N-Channel N-CH -
耗散功率 167 W 300 W 60 W
阈值电压 - 2.1 V 3 V
输入电容 6.66 nF 3.66 nF -
栅电荷 100 nC 187 nC -
漏源极电压(Vds) 100 V 55 V 30 V
漏源击穿电压 - 55 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 95.0 A 80.0 A -
上升时间 - 53 ns 33 ns
输入电容(Ciss) 6660pF @50V(Vds) 3660pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 167 W 300 W 60 W
下降时间 - 32 ns 4.2 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300000 mW 60W (Tc)
长度 - 10 mm -
宽度 - 4.4 mm -
高度 - 15.65 mm -
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)