对比图
型号 KU054N03D SPI80N03S2L-06 STP75NS04Z
描述 N-Ch Trench MOSFET的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
封装 - TO-262-3-1 TO-220-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 80.0 A -
极性 - N-CH N-CH
耗散功率 - 150W (Tc) 110 W
输入电容 - 2.53 nF -
栅电荷 - 68.0 nC -
漏源极电压(Vds) - 30 V 33 V
连续漏极电流(Ids) - 80.0 A 80A
输入电容(Ciss) - 2530pF @25V(Vds) 1860pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) - 150W (Tc) 110W (Tc)
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 11 mΩ
漏源击穿电压 - - 33 V
上升时间 - - 248 ns
额定功率(Max) - - 110 W
下降时间 - - 85 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 - TO-262-3-1 TO-220-3
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 4.6 mm
高度 - - 15.75 mm
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free