对比图
型号 IRFB23N20DPBF IRFZ14PBF STP17NF25
描述 IRFB23N20DPBF 管装功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP17NF25 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 250 V, 140 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 0.1 Ω 0.2 Ω 140 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8 W 43 W 90 W
阈值电压 - 2 V 3 V
输入电容 1960pF @25V - 1000 pF
漏源极电压(Vds) 200 V 60 V 250 V
连续漏极电流(Ids) 24.0 A 10.0 A 8.50 A
上升时间 32.0 ns 50 ns 17.2 ns
输入电容(Ciss) 1960pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds) 1000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.8 W 43 W 90 W
下降时间 - 19 ns 8.8 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 43 W 90W (Tc)
额定电压(DC) 200 V 60.0 V -
额定电流 24.0 A 10.0 A -
漏源击穿电压 200 V 60.0 V -
产品系列 IRFB23N20D - -
热阻 0.9℃/W (RθJC) - -
长度 - 10.41 mm 10.4 mm
宽度 - 4.7 mm 4.6 mm
高度 8.77 mm 9.01 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
最小包装 - 50 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -