对比图
型号 JANTX2N1711 JANTX2N1711S BCW66GLT1G
描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORTO-5 NPN 30V 0.5AON SEMICONDUCTOR BCW66GLT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFE
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-5 TO-5 SOT-23-3
频率 - - 100 MHz
额定电压(DC) - - 45.0 V
额定电流 - - 800 mA
针脚数 - - 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 0.8 W 0.8 W 330 mW
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 45 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.8A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 160 @100mA, 1V
额定功率(Max) 800 mW 800 mW 300 mW
直流电流增益(hFE) - - 60
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 300 mW
封装 TO-5 TO-5 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Bag Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99