IPS1031SPBF和VNB20N07-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPS1031SPBF VNB20N07-E VNB35NV04-E

描述 Power Switch Lo Side 18A 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics电源负载分配开关, 低压侧, 40 V输入, 30 A, 0.013 ohm, 1输出, TO-263-3

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

输出接口数 1 1 1

输出电流 6 A 28 A 60 A

供电电流 - 0.25 mA 0.1 mA

针脚数 - 3 3

耗散功率 3.1 W 83 W 125 W

输出电流(Max) - 14 A 30 A

输出电流(Min) - 14 A 30 A

输入数 - 1 1

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

耗散功率(Max) - 83000 mW 125000 mW

额定功率 3.1 W 83 W -

电源电压 4.5V ~ 5.5V - -

输入电压 4.5V ~ 5.5V 18 V -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 50 mΩ -

极性 - N-Channel -

漏源击穿电压 - 70 V -

连续漏极电流(Ids) - 20.0 A -

上升时间 - 240 ns -

输入电压(Max) - 18 V -

下降时间 - 150 ns -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.28 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

工作温度 - - -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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