VP0550N3-G和VP0550N3-G-P013

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VP0550N3-G VP0550N3-G-P013 TN5335K1-G

描述 TO-92P-CH 500V 0.054ATrans MOSFET P-CH 500V 0.054A 3Pin TO-92 T/R晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 110 mA, 350 V, 15 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 SOT-23-3

耗散功率 1 W 1 W 0.36 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 350 V

上升时间 8 ns 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 70pF @25V(Vds) 70pF @25V(Vds) 110pF @25V(Vds)

下降时间 5 ns 10 ns 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Tc) 1W (Tc) 360mW (Ta)

额定功率 1 W - 0.36 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 125 Ω - 15 Ω

极性 P-CH - N-CH

阈值电压 - - 2 V

连续漏极电流(Ids) 0.054A - 0.11A

通道数 1 - -

漏源击穿电压 500 V - -

长度 5.21 mm 5.21 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-92-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Ammo Pack Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

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