MMBT2222LT1G和MMST4401

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2222LT1G MMST4401 MMBT2222LT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT2222LT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 250 hFEMMST4401 NPN三极管 60V 600mA/0.6a 250MHz 20~100 400mV~750mV SOT-23/SC-59/SMT3 marking/标记 R2X 中等功率晶体管(开关)通用晶体管 General Purpose Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

长度 3.04 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 1.11 mm - -

产品生命周期 Active Not Recommended Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 600 mA - 600 mA

极性 NPN - NPN

击穿电压(集电极-发射极) 30 V - 30 V

集电极最大允许电流 0.6A - 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V - 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 225 mW - 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW - 300 mW

频率 250 MHz - -

额定功率 300 mW - -

针脚数 3 - -

耗散功率 225 mW - -

增益频宽积 250 MHz - -

最大电流放大倍数(hFE) 300 - -

直流电流增益(hFE) 250 - -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司