对比图
型号 FDS6984AS FDS6990AS NTGS4111PT1G
描述 ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6984AS, 5.5 A，8.5 A, Vds=30 V, 8引脚FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6990AS 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.7 VON SEMICONDUCTOR NTGS4111PT1G 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 4.7A, TSOP
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 6
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOT-23-6
通道数 - 2 1
针脚数 8 8 6
漏源极电阻 0.017 Ω 0.017 Ω 60 mΩ
极性 - Dual N-Channel P-Channel
耗散功率 2 W 2 W 1.25 W
阈值电压 1.7 V 1.7 V 3 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30 V 30 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 7.50 mA 4.70 A
输入电容(Ciss) 420pF @15V(Vds) 550pF @15V(Vds) 750pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 900 mW 630 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 1600 mW 630mW (Ta)
额定电压(DC) - - -30.0 V
额定电流 - - -4.70 A
下降时间 - - 22 ns
长度 5 mm 5 mm 3.1 mm
宽度 3.99 mm 4 mm 1.5 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm 1 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOT-23-6
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99