FDN358P和ZXMP3A13FTA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDN358P ZXMP3A13FTA AO3409

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN358P  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -1.9 VZXMP3A13FTA 编带-30V,-2.6A,P沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -

额定电流 -1.50 A -1.60 A -

通道数 1 - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 200 mΩ 0.21 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 560 mW 806 mW 1.4 W

输入电容 182 pF - -

栅电荷 4.00 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 1.50 A 1.40 A 2.6A

上升时间 13 ns 3 ns -

输入电容(Ciss) 182pF @15V(Vds) 206pF @15V(Vds) 370pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 460 mW 625 mW 1.4 W

下降时间 2 ns 7.6 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 500mW (Ta) 625mW (Ta) 1.4W (Ta)

额定功率 - - 1 W

长度 2.92 mm 3.04 mm -

宽度 1.4 mm 1.4 mm -

高度 0.94 mm 1.02 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

军工级 - Yes -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -

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