BCP52-16E6327和BCP5216E6327HTSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP52-16E6327 BCP5216E6327HTSA1 BCP52-16

描述 SOT-223 PNP 60V 1ASOT-223 PNP 60V 1APNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 4 4 -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223-4

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V

额定功率(Max) - 2 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW -

额定功率 - - 1 W

额定电压(DC) -60.0 V - -

额定电流 -1.00 A - -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223-4

长度 - - 6.5 mm

宽度 - - 3.5 mm

高度 - - 1.6 mm

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs End of Life

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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