对比图
描述 NXP BFG135 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 7 GHz, 1 W, 150 mA, 130 hFE射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS射频线NPN硅高频晶体管噪声系数3.0分贝@ 500MHz的 The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor Noise Figure 3.0 dB@ 500MHz
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Microsemi (美高森美) M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 4 -
封装 SOT-223 Power Macro 244A-01
耗散功率 1 W 3000 mW 5 W
输出功率 - 1.5 W -
击穿电压(集电极-发射极) - 16 V 17 V
增益 - 11dB ~ 13dB 13 dB
最小电流放大倍数(hFE) - 30 @250mA, 5V 50 @50mA, 5V
额定功率(Max) - 3 W -
耗散功率(Max) 1 W 3000 mW -
极性 NPN - NPN
针脚数 3 - -
直流电流增益(hFE) 130 - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
高度 - 2.54 mm -
封装 SOT-223 Power Macro 244A-01
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tray
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -