AUIRFS3107TRL和IRFS3107TRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFS3107TRL IRFS3107TRLPBF AUIRFS3107

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 75 V, 0.0025 ohm, 10 V, 4 V晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 75 V, 0.0025 ohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 75V 230A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 - 370 W -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0025 Ω 2.5 mΩ -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 370 W 370 W 370W (Tc)

阈值电压 4 V 4 V -

输入电容 - 9370 pF -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 - 75 V -

连续漏极电流(Ids) 230A 230A 230A

上升时间 110 ns 220 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 9370pF @50V(Vds) 9370pF @50V(Vds) 9370pF @50V(Vds)

下降时间 100 ns 130 ns 100 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) 370W (Tc) 370W (Tc) 370W (Tc)

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

长度 - 6.5 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 - 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

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