ZXM66P02N8TA和ZXM66P02N8TC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZXM66P02N8TA ZXM66P02N8TC PMK50XP@518

描述 Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8Pin SOIC T/RMOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOICPMK50XP@518

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 -

额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -

额定电流 -7.60 A -8.00 A -

漏源极电阻 45.0 mΩ 45.0 mΩ -

极性 P-Channel P-Channel -

耗散功率 2.5 W 1.56W (Ta) -

输入电容 2.07 nF 2.07 nF -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -

栅源击穿电压 ±12.0 V ±12.0 V -

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 8.00 A -

上升时间 44.3 ns 44.3 ns -

输入电容(Ciss) 2068pF @15V(Vds) 2068pF @15V(Vds) -

下降时间 98.4 ns 98.4 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.56W (Ta) 1.56W (Ta) -

额定功率(Max) 1.56 W - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free 无铅 -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -

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