对比图
型号 MTP12P10 RFP12P10 MTP12P10G
描述 功率MOSFET 12安培， 100伏P沟道TO- 220 Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts P−Channel TO−22012A ， 80V和100V ， 0.300欧姆，P沟道功率MOSFET 12A, 80V and 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs-12A,-100V,P沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Intersil (英特矽尔) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 - - 3
封装 TO-220 - TO-220-3
额定电压(DC) -100 V - -100 V
额定电流 -12.0 A - -12.0 A
漏源极电阻 300 mΩ - 300 mΩ
极性 P-Channel - P-Channel
耗散功率 75.0 W - 75W (Tc)
输入电容 - - 920 pF
栅电荷 - - 50.0 nC
漏源极电压(Vds) 100 V - 100 V
漏源击穿电压 100 V - 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A - 12.0 A
输入电容(Ciss) - - 920pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 75 W
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 75W (Tc)
封装 TO-220 - TO-220-3
材质 - - Silicon
工作温度 - - -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Bulk - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - Lead Free
ECCN代码 - - EAR99