对比图
型号 MGSF1N03LT1 MGSF1N03LT3 MGSF1N03LT1G
描述 功率MOSFET的30 V ， 2.1 A单N沟道， SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23功率MOSFET的30 V ， 2.1 A单N沟道， SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23ON SEMICONDUCTOR MGSF1N03LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V
额定电流 750 mA 1.60 A 750 mA
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 125 mΩ 125 mΩ 0.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 730 mW 420mW (Ta) 730 mW
阈值电压 - - 1.7 V
输入电容 - 140 pF 140pF @5V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 750 mA 2.10 A 2.10 A, 1.60 mA
上升时间 1 ns - 1 ns
输入电容(Ciss) 140pF @5V(Vds) 140pF @5V(Vds) 140pF @5V(Vds)
额定功率(Max) - - 420 mW
下降时间 1 ns - 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 420mW (Ta) 420mW (Ta) 420mW (Ta)
栅电荷 - 6.00 µC -
长度 2.9 mm - 3.04 mm
宽度 1.3 mm - 1.4 mm
高度 0.94 mm - 1.01 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99