MGSF1N03LT3参数规格_中文资料_数据手册PDF

MGSF1N03LT3概述

功率MOSFET的30 V ， 2.1 A单N沟道， SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23

N-Channel 30V 1.6A Ta 420mW Ta Surface Mount SOT-23-3 TO-236

得捷:
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3

MGSF1N03LT3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 1.60 A

漏源极电阻 125 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 420mW Ta

输入电容 140 pF

栅电荷 6.00 µC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 2.10 A

输入电容Ciss 140pF @5VVds

耗散功率Max 420mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MGSF1N03LT3

型号： MGSF1N03LT3

描述：功率MOSFET的30 V ， 2.1 A单N沟道， SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23

替代型号MGSF1N03LT3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MGSF1N03LT3 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MGSF1N03LT1G 安森美	类似代替	MGSF1N03LT3和MGSF1N03LT1G的区别
MGSF1N03LT1 安森美	类似代替	MGSF1N03LT3和MGSF1N03LT1的区别
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