IRFB3207ZGPBF和STP140NF75

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB3207ZGPBF STP140NF75 PHP75NQ08T,127

描述 Single N-Channel 75V 300W 260NC Through Hole Hexfet Power MOSFET - TO-220ABSTMICROELECTRONICS  STP140NF75  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 75.0 V -

额定电流 - 120 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0075 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 300 W 310 W 157 W

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 5000 pF -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 - 75.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 210 A 120 A -

上升时间 - 140 ns 36 ns

输入电容(Ciss) 6920pF @50V(Vds) 5000pF @25V(Vds) 1985pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 310 W 157 W

下降时间 - 90 ns 26 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 310W (Tc) 157W (Tc)

产品系列 IRFB3207ZG - -

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

ECCN代码 - EAR99 -

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