IRFS3006PBF和IRFS3206PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS3006PBF IRFS3206PBF SUM110N06-3M4L-E3

描述 INFINEON  IRFS3006PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 270 A, 60 V, 0.002 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFS3206PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 60 V, 0.0024 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.002 Ω 0.0024 Ω 0.0028 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 375 W 300 W 375 W

阈值电压 4 V 4 V 1 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 270A 210A 110 A

输入电容(Ciss) 8970pF @50V(Vds) 6540pF @50V(Vds) 12900pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 375000 mW 300W (Tc) 3.7 W

额定功率 375 W 300 W -

上升时间 182 ns 82 ns -

额定功率(Max) - 300 W -

下降时间 189 ns 83 ns -

通道数 1 - -

输入电容 8970pF @50V - -

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.41 mm

宽度 9.65 mm 9.65 mm 9.65 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tube -

ECCN代码 EAR99 - -

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