IRLML6401TR和IRLML6401TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLML6401TR IRLML6401TRPBF IRLML6401PBF

描述 SOT-23P-CH 12V 4.3AINFINEON  IRLML6401TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mVINFINEON  IRLML6401PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 50 mohm, -4.5 V, -550 mV

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

极性 P-CH P-Channel P-CH

耗散功率 1300 mW 1.3 W 1.3 W

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V 12 V

连续漏极电流(Ids) 4.3A 4.3A 4.3A

上升时间 32 ns 32 ns -

输入电容(Ciss) 830pF @10V(Vds) 830pF @10V(Vds) -

下降时间 210 ns 210 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) -

额定功率 - 1.3 W -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.05 Ω 0.05 Ω

阈值电压 - 550 mV 550 mV

输入电容 - 830 pF -

额定功率(Max) - 1.3 W -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1.02 mm -

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台