BC858BLT1G和BC859BMTF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858BLT1G BC859BMTF BC859BLT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC858BLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 100 hFEPNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 150 MHz -

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 225 mW 0.31 W -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 800 -

额定功率(Max) 225 mW 310 mW 300 mW

耗散功率(Max) 300 mW 310 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 100 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.94 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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