对比图
型号 IRFR5410TR IRFR5410TRPBF IRFR5410PBF
描述 DPAK P-CH 100V 13AHEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。INTERNATIONAL RECTIFIER IRFR5410PBF 场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 13A, D-PAK 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) -100 V - -100 V
额定电流 -13.0 A - -13.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.205 Ω 0.205 Ω
极性 P-CH P-CH P-Channel
耗散功率 66W (Tc) 66 W 66 W
产品系列 IRFR5410 - IRFR5410
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - - -100 V
连续漏极电流(Ids) 13.0 A 13A -13.0 A
上升时间 58 ns 58 ns 58 ns
输入电容(Ciss) 760pF @25V(Vds) 760pF @25V(Vds) 760pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 66 W 66 W
下降时间 46 ns 46 ns 46 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 66W (Tc) 66W (Tc) 66000 mW
额定功率 - 66 W -
阈值电压 - 4 V -
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
高度 - 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
宽度 - 6.22 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 - Silicon -
产品生命周期 End of Life Active Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99