对比图
描述 N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET的30V ， 40A ， 15米欧姆 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 30V, 40A, 15m OhmSTMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 VON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 60.0 V -
额定电流 - 60.0 A -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.016 Ω 0.052 Ω
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 40.5W (Tc) 110 W 127 W
阈值电压 - 2 V 4 V
漏源极电压(Vds) 30 V 60 V 100 V
漏源击穿电压 30.0 V 60.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 40.0 A 60.0 A -
上升时间 - 108 ns 195 ns
输入电容(Ciss) 1235pF @15V(Vds) 1660pF @25V(Vds) 1150pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 110 W 127 W
下降时间 - 20 ns 110 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 40.5W (Tc) 110W (Tc) 127 W
长度 - 10.4 mm 10.67 mm
宽度 - 4.6 mm 4.83 mm
高度 - 9.15 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Rail Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -