DS1225AB-200+和DS1225AB-85+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1225AB-200+ DS1225AB-85+ DS1225AB-200

描述 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AB-200+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AB-85+  芯片, 存储器, NVRAMIC NVSRAM 64Kbit 200NS 28DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 EDIP-28 EDIP-28 DIP-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)

针脚数 28 28 -

时钟频率 200 GHz 85.0 GHz 200 GHz

存取时间 200 ns 85 ns 200 ns

内存容量 8000 B 64000 B 8000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) 5.25 V 5.25 V -

电源电压(Min) 4.75 V 4.75 V -

负载电容 - - 5.00 pF

长度 39.37 mm 39.37 mm -

宽度 18.29 mm 18.29 mm -

高度 10.67 mm 10.67 mm -

封装 EDIP-28 EDIP-28 DIP-28

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台