对比图
描述 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD17483F4TEXAS INSTRUMENTS CSD17483F4T 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 30 V, 0.185 ohm, 8 V, 850 mV
数据手册 --
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
漏源极电阻 0.185 Ω 0.185 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 500 mW 500 mW
阈值电压 850 mV 850 mV
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 1.5A 1.5A
上升时间 1.3 ns 1.3 ns
输入电容(Ciss) 145pF @15V(Vds) 145pF @15V(Vds)
下降时间 3.4 ns 3.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 500 mW
通道数 - 1
针脚数 - 3
长度 1.04 mm 1.04 mm
宽度 0.64 mm 0.64 mm
高度 0.35 mm 0.35 mm
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15
REACH SVHC标准 - No SVHC
ECCN代码 - EAR99