IRFR3410PBF和IRFR3410TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR3410PBF IRFR3410TRPBF IRFR3410TRLPBF

描述 INFINEON  IRFR3410PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 39 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFR3410TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 0.034 ohm, 10 V, 4 V晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 0.034 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 110 W 110 W -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.039 Ω 0.034 Ω 34 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 110 W 110 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 31A 31A 31A

上升时间 27 ns 27 ns 27 ns

输入电容(Ciss) 1690pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3 W 3 W 3 W

下降时间 13 ns 13 ns 13 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta), 110W (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc)

输入电容 - 1690 pF -

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 100 V

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.5 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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