对比图
型号 FDC6306P FDC6506P SI3981DV-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6306P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 1.9 A, -20 V, 0.127 ohm, -4.5 V, -900 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6506P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3 A, -30 V, 170 mohm, -10 V, -1.8 VTSOP P-CH 20V 1.6A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOP-6
额定电压(DC) -20.0 V -30.0 V -
额定电流 -1.90 A -1.80 A -
针脚数 6 6 -
漏源极电阻 0.127 Ω 170 mΩ -
极性 P-Channel P-Channel, Dual N-Channel, Dual P-Channel Dual P-Channel
耗散功率 960 mW 960 mW 0.8 W
输入电容 441 pF 190 pF -
栅电荷 3.00 nC 2.30 nC -
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V -20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) -1.90 A 1.80 A -1.90 A
上升时间 9 ns 8 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 441pF @10V(Vds) 190pF @15V(Vds) -
额定功率(Max) 700 mW 700 mW -
下降时间 3 ns 2 ns 21 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 0.96 W 0.96 W 800 mW
额定功率 - 0.96 W -
通道数 - 2 -
漏源击穿电压 - 30 V -
长度 3 mm 3 mm -
宽度 1.7 mm 1.7 mm -
高度 1 mm 1 mm -
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOP-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -