对比图
型号 IRL640A IRL640PBF
描述 MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 200 V 200 V
额定电流 18.0 A 17.0 A
针脚数 3 3
漏源极电阻 180 mΩ 0.18 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 125 W
阈值电压 2 V 2 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 17.0 A
上升时间 8 ns 83.0 ns
输入电容(Ciss) 1705pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 125 W
下降时间 15 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 125000 mW
额定功率 - 125 W
长度 10.67 mm 10.41 mm
宽度 4.7 mm 4.7 mm
高度 16.3 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
最小包装 - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 -