CY14B104N-BA25XCT和CY14B104NA-BA25I

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14B104N-BA25XCT CY14B104NA-BA25I CY14B104NA-BA25XIT

描述 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM4兆位( 512K的X二百五十六分之八的K× 16 )的nvSRAM为20 ns , 25 ns的,和45 ns访问时间 4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 48 48 48

封装 FBGA-48 FBGA-48 FBGA-48

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

存取时间 25 ns - -

存取时间(Max) 25 ns 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 3 V 2.7V ~ 3.6V

供电电流 - 70 mA -

长度 10 mm - -

宽度 6 mm - -

高度 0.89 mm - -

封装 FBGA-48 FBGA-48 FBGA-48

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead 无铅

ECCN代码 - 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a

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