对比图
型号 BSC057N08NS3 G FDMS3572 IRFH5007TRPBF
描述 INFINEON BSC057N08NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 80 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.8 VUltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。Trans MOSFET N-CH 75V 17A 8Pin PQFN EP T/R
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 8 8 8
封装 TDSON-8 Power-56 PQFN-8
额定电压(DC) - 80.0 V -
额定电流 - 22.0 A -
针脚数 8 8 -
漏源极电阻 0.0047 Ω 16.5 mΩ 5.1 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 3.6 W
阈值电压 2.8 V 3.2 V 2 V
输入电容 - 2.49 nF -
栅电荷 - 40.0 nC -
漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 75 V
漏源击穿电压 - 80.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 22.0 A 100 A
上升时间 - 13 ns -
输入电容(Ciss) 2900pF @40V(Vds) 2490pF @40V(Vds) 4290pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 114 W 2.5 W 3.6 W
下降时间 - 12 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 114 W 2.5W (Ta), 78W (Tc) -
通道数 1 - 1
产品系列 - - IRFH5007
长度 5.35 mm 5 mm -
宽度 6.1 mm 6 mm -
高度 1.1 mm 0.75 mm -
封装 TDSON-8 Power-56 PQFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -