DMN601K-7和MMBF170-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMN601K-7 MMBF170-7-F 2N7002K-T1-GE3

描述 ·低导通电阻RDS(ON)·低栅极阈值电压·低输入电容·开关速度快·低输入/输出漏·无铅设计/ RoHS规定(注2)·ESD保护高达2kV·“绿色”设备(注4)MMBF170-7-F 编带VISHAY  2N7002K-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 2 Ω 5 Ω 2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 350 mW 300 mW 350 mW

阈值电压 1.6 V 2.1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 300 mA 500 mA 190 mA

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 40pF @10V(Vds) 30pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 0.35 W

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 300 mA 500 mA -

额定功率(Max) 350 mW 300 mW -

输入电容 - 40.0 pF -

漏源击穿电压 - 70.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 2.9 mm - 3.04 mm

宽度 1.3 mm - 1.4 mm

高度 1 mm - 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

军工级 - Yes -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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