对比图
型号 BSM35GD120DN2E3224 SM35 BSM35GD120DN2
描述 电路图 Circuit DiagramInsulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-ChannelTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 50A 17Pin ECONOPACK 2
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Siemens Semiconductor (西门子) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Screw - Screw
引脚数 17 - 17
封装 ECONO2-2 - ECONO2-2
耗散功率 280 W - 280 W
击穿电压(集电极-发射极) - - 1200 V
输入电容(Cies) - - 2nF @25V
额定功率(Max) - - 280 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ - 40 ℃
耗散功率(Max) 280000 mW - 280000 mW
长度 107.5 mm - 107.5 mm
宽度 45 mm - 45.5 mm
高度 17 mm - 17 mm
封装 ECONO2-2 - ECONO2-2
工作温度 - - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Obsolete
包装方式 Bulk - -
RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - 无铅