对比图
型号 CSD19538Q3A CSD19538Q3AT CSD19537Q3
描述 100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON3x3、61mΩ 8-VSONP -55 to 150TEXAS INSTRUMENTS CSD19538Q3AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 0.049 ohm, 10 V, 3.2 V 新CSD19537Q3,100V N 沟道 NexFET(TM) 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSONP-8 VSONP-8 VSON-Clip-8
针脚数 - 8 -
漏源极电阻 61 mΩ 0.049 Ω -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 2.8 W 23 W 2.8 W
阈值电压 3.2 V 3.2 V -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 4.9A 4.9A 50A
上升时间 3 ns 3 ns 3 ns
输入电容(Ciss) 454pF @50V(Vds) 454pF @50V(Vds) 1680pF @50V(Vds)
下降时间 2 ns 2 ns 3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 23W (Tc) 2.8W (Ta), 23W (Tc) 2.8W (Ta), 83W (Tc)
通道数 1 - -
漏源击穿电压 100 V - -
封装 VSONP-8 VSONP-8 VSON-Clip-8
长度 3.15 mm - 3.3 mm
宽度 3 mm - 3.3 mm
高度 0.9 mm - 1 mm
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -