BCW61D和BCW61DMTF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW61D BCW61DMTF BCW61DE6327

描述 PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-23 PNP GP AMPSOT-23 PNP 32V 0.1A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23-3-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - -32.0 V -

额定电流 - -100 mA -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 0.35 W 330 mW

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 32 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 380 @2mA, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) - 630 -

额定功率(Max) - 350 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 350 mW -

频率 - - 250 MHz

长度 - 2.92 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.93 mm -

封装 SOT-23-3-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 End of Life Obsolete End of Life

包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司