BSH103,215和BSH103,235

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSH103,215 BSH103,235

描述 Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH103,215, 850 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装BSH103,235 编带

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 -

漏源极电阻 0.4 Ω -

极性 N-Channel -

耗散功率 0.75 W 540mW (Ta)

阈值电压 400 mV -

输入电容 83 pF 83 pF

漏源极电压(Vds) 30 V -

连续漏极电流(Ids) 850 mA -

上升时间 3.5 ns 3.5 ns

输入电容(Ciss) 83pF @24V(Vds) 83pF @24V(Vds)

额定功率(Max) 540 mW -

下降时间 7 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 540mW (Ta) 540mW (Ta)

通道数 - -

长度 3 mm -

宽度 1.4 mm -

高度 1 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 - -

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