对比图
型号 JANTX2N3506 JANTXV2N3506 2N3506
描述 TO-39 NPN 40V 3ATO-39 NPN 40V 3ANPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-39-3 TO-205 TO-39
引脚数 3 - 3
极性 NPN NPN -
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V -
集电极最大允许电流 3A 3A -
最小电流放大倍数(hFE) 40 @1.5A, 2V 40 @1.5A, 2V -
额定功率(Max) 1 W 1 W -
耗散功率 1 W - 1 W
工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW - 1000 mW
最大电流放大倍数(hFE) 200 - -
封装 TO-39-3 TO-205 TO-39
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bag - Bag
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 -
ECCN代码 EAR99 - -