JANTX2N3506和JANTXV2N3506

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N3506 JANTXV2N3506 2N3506

描述 TO-39 NPN 40V 3ATO-39 NPN 40V 3ANPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-39-3 TO-205 TO-39

引脚数 3 - 3

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V -

集电极最大允许电流 3A 3A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @1.5A, 2V 40 @1.5A, 2V -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

耗散功率 1 W - 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW - 1000 mW

最大电流放大倍数(hFE) 200 - -

封装 TO-39-3 TO-205 TO-39

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 -

ECCN代码 EAR99 - -

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