对比图
型号 NSS40200LT1G NSV40200LT1G MMBTA56
描述 ON SEMICONDUCTOR NSS40200LT1G 单晶体管 双极, PNP, -40 V, 100 MHz, 710 mW, -2 A, 150 hFEPNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA56 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 350 mW, -500 mA, 100 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 100 MHz - 50 MHz
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -
针脚数 3 3 3
极性 PNP PNP PNP, P-Channel
耗散功率 710 mW 540 mW 350 mW
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 80 V
集电极最大允许电流 2A 2A -
最小电流放大倍数(hFE) 220 @500mA, 2V 220 @500mA, 2V 100 @100mA, 1V
额定功率(Max) 460 mW 460 mW 350 mW
直流电流增益(hFE) 150 150 100
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 540 mW 460 mW 350 mW
额定电压(DC) - - -80.0 V
额定电流 - - -500 mA
额定功率 - - 350 mW
宽度 1.3 mm 2.64 mm 1.3 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 - 3.04 mm 2.9 mm
高度 - 1.11 mm 0.93 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99