MUN5231T1G和MUN5232DW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5231T1G MUN5232DW1T1G PDTC123EU

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorON SEMICONDUCTOR  MUN5232DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-363 新NXP  PDTC123EU  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 6 3

封装 SC-70-3 SC-70-6 SOT-323

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

额定功率 - 187 mW -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

极性 NPN N-Channel, NPN NPN

耗散功率 0.31 W 0.385 W 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 8 @5mA, 10V 15 @5mA, 10V 30

额定功率(Max) 202 mW 250 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 310 mW 385 mW -

针脚数 - - 3

直流电流增益(hFE) - - 30

长度 - 2 mm 2.2 mm

宽度 - 1.25 mm 1.35 mm

高度 - 0.9 mm 1 mm

封装 SC-70-3 SC-70-6 SOT-323

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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