NTD2955-1G和NTD2955T4G的区别_NTD2955-1G代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTD2955-1G NTD2955T4G NTD2955-001G

描述 ON SEMICONDUCTOR NTD2955-1G 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -60 V, 0.155 ohm, -10 V, -2.8 V 新ON SEMICONDUCTOR NTD2955T4G 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 0.155 ohm, -10 V, -2.8 VTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3Pin(3+Tab) IPAK Rail

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-251-3 TO-252-3 CASE 369D-01

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -

额定电流 -12.0 A -12.0 A -

通道数 1 1 -

针脚数 3 4 -

漏源极电阻 0.155 Ω 0.155 Ω -

极性 P-Channel P-Channel -

耗散功率 55 W 55 W -

阈值电压 - 2.8 V -

输入电容 750 pF 500 pF -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12.0 A, 12.0 mA -

上升时间 45 ns 45 ns -

输入电容(Ciss) 750pF @25V(Vds) 750pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 55 W 55 W -

下降时间 48 ns 48 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 55 W 55 W -

栅电荷 30.0 nC - -

漏源击穿电压 60 V - -

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 2.38 mm 6.22 mm -

高度 6.35 mm 2.38 mm -

封装 TO-251-3 TO-252-3 CASE 369D-01

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -