KSA1175GTA和KSA733G的区别_KSA1175GTA代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

描述双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Transistor低频放大器 Low Frequency AmplifierSmall Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) UTC (友顺)

分类双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

封装 TO-92-3 - -

极性 PNP - -

耗散功率 250 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V - -

集电极最大允许电流 0.15A - -

最小电流放大倍数(hFE) 200 @1mA, 6V - -

最大电流放大倍数(hFE) 700 - -

额定功率(Max) 250 mW - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

长度 4 mm - -

宽度 2.31 mm - -

高度 3.7 mm - -

封装 TO-92-3 - -

工作温度 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准无铅 - -

ECCN代码 EAR99 - -