对比图
型号 IRF830STRLPBF SPB04N50C3 STB5N52K3
描述 N沟道 500V 4.5A酷MOS功率晶体管 Cool MOS Power Transistor525V,1.2Ω,4.4A,N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
耗散功率 3.1 W 50 W 70 W
阈值电压 - - 3.75 V
漏源极电压(Vds) 500 V 560 V 525 V
上升时间 16 ns 5 ns 11 ns
输入电容(Ciss) 610pF @25V(Vds) 470pF @25V(Vds) 545pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 50 W 70 W
下降时间 16 ns 10 ns 16 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3100 mW 50000 mW 70W (Tc)
额定电压(DC) - 560 V -
额定电流 - 4.50 A -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 1.5 Ω 950 mΩ -
极性 N-Channel N-CH -
输入电容 - 470 pF -
栅电荷 - 22.0 nC -
漏源击穿电压 - 500 V -
连续漏极电流(Ids) 4.50 A 4.50 A -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10 mm -
宽度 - 9.25 mm -
高度 - 4.4 mm -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 2000 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99